[发明专利]一种制造上下结构SGT的工艺方法

摘要

本发明涉及一种制造上下结构SGT的工艺方法，包括以下制造步骤：第一步、在半导体衬底上做第一沟槽刻蚀，首先在半导体衬底上做上部半深度沟槽刻蚀，生长栅氧化层，堆积和沉淀硬质掩蔽层，然后做下部半深度沟槽刻蚀，淀积并回刻形成下部及底部栅氧化层，填充多晶硅并回刻，形成背靠上述硬质掩蔽层的底部栅极多晶硅；第二步、做第二沟槽刻蚀，在上述第一步回刻形成的上部半深度沟槽侧壁硬质掩蔽层、底部栅极多晶硅之上沉积栅氧化层，填充多晶硅并回刻，形成上部源极多晶硅。有益效果是栅氧化层沟道长度相同、有效防止栅级多晶硅氧化、沟槽底部电场容易耗尽。