[发明专利]离子注入设备及离子注入方法有效
| 申请号： | 202110002080.4 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112820613B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 於成星;刘小辉;张和;周静兰;刘修忠;沈保家;李军辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/147 | 分类号： | H01J37/147;H01J37/317;H01L21/67;H01L21/265;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;王月玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种离子注入设备及离子注入方法。离子注入设备，包括：承载台，用于承载半导体结构；离子源单元，用于产生等离子束，并使所述等离子束向所述半导体结构运动；角度调整单元，位于所述离子源单元和所述承载台之间，用于将所述等离子束的注入角度与所述半导体结构中沟槽的倾斜角度匹配。本申请基于角度调整单元射出的等离子束的注入角度与沟槽的倾斜角度匹配，避免了等离子束对离子注入通道(沟槽)侧壁造成损伤，提升了3D存储器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 设备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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