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[发明专利]存储器-CN202110441423.7有效
发明人：李军辉;沈保家;於成星;周静兰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种存储器，包括：第一栅叠层结构，位于衬底表面，包括依次交替层叠设置的第一绝缘层和第一栅极层；第二栅叠层结构，位于第一栅叠层结构表面，包括依次交替层叠设置的第二绝缘层和第二栅极层；沟道结构，贯穿第一栅叠层结构和第二栅叠层结构；第一电荷阻挡结构，位于沟道结构和第一栅极层之间；第二电荷阻挡结构，贯穿第一栅叠层结构和第二栅叠层结构；其中，位于第一栅叠层结构中的第二电荷阻挡结构，位于沟道结构和第一电荷阻挡结构之间，且位于沟道结构和第一绝缘层之间；位于第二栅叠层结构中的第二电荷阻挡结构，位于沟道结构和第二栅极层之间，且位于沟道结构和第二绝缘层之间。
存储器

[发明专利]一种晶圆弯曲度调整方法-CN202011564660.4有效
发明人：刘修忠;艾义明;颜元;於成星;沈保家;刘小辉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆弯曲度调整方法，包括：提供待处理晶圆；其中，所述待处理晶圆在第一区域的弯曲程度与所述待处理晶圆其它区域的弯曲程度不同；在所述待处理晶圆上形成第一材料层；至少对所述第一材料层对应所述第一区域的部分进行离子注入处理；在离子注入处理后，对第一材料层进行氧化处理，以在所述待处理晶圆表面形成对应所述第一区域与其它区域厚度分布不同的第二材料层。
一种弯曲调整方法

[发明专利]离子注入装置及离子注入方法-CN202110028004.0有效
发明人：刘小辉;於成星;张和;周静兰;刘修忠;沈保家;李军辉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本申请公开了一种离子注入装置和离子注入方法。该离子注入装置包括：反应腔室；气体供应源，连接至所述反应腔室，向所述反应腔室内通入待电离气体；承载台，位于所述反应腔室底部，用于承载晶片；第一电极，位于所述承载台上，连接第一电源，所述晶片位于所述第一电极上；第二电极，位于所述晶片上方，连接第二电源，与所述第一电极之间产生离子束；磁场产生体，位于所述第一电极或所述承载台之上，用于在所述晶片周边产生磁场，通过调节所述磁场产生体产生的磁场大小来改变所述离子束照射在所述晶片上的角度。从而在对具有通道孔的晶片进行离子注入时，可以使离子束直接沿倾斜角度注入底部而不损伤侧壁。
离子注入装置方法

[发明专利]三维存储器件及其制备方法-CN202111101706.3在审
发明人： 於成星 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种三维存储器件及其制备方法。其中，所述三维存储器件包括：层叠结构；贯穿所述层叠结构的多个沟道结构，所述沟道结构至少包括沟道层；其中，所述沟道层的材料包含硅；连接层，所述连接层与所述沟道层接触；其中，所述连接层的材料包括金属硅化物。
三维存储器件及其制备方法

[发明专利]离子注入设备及离子注入方法-CN202110002080.4有效
发明人： 於成星;刘小辉;张和;周静兰;刘修忠;沈保家;李军辉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本申请公开了一种离子注入设备及离子注入方法。离子注入设备，包括：承载台，用于承载半导体结构；离子源单元，用于产生等离子束，并使所述等离子束向所述半导体结构运动；角度调整单元，位于所述离子源单元和所述承载台之间，用于将所述等离子束的注入角度与所述半导体结构中沟槽的倾斜角度匹配。本申请基于角度调整单元射出的等离子束的注入角度与沟槽的倾斜角度匹配，避免了等离子束对离子注入通道(沟槽)侧壁造成损伤，提升了3D存储器件的电学性能。
离子注入设备方法

[发明专利]一种检测方法和装置-CN202110825374.7在审
发明人：张和;艾义明;於成星;颜元;顾鹏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种检测方法和装置，其中，所述方法包括：将测试晶圆放置到离子注入机台中，对所述测试晶圆进行离子注入；在所述离子注入后，获取所述测试晶圆的彩色图像；根据所述测试晶圆的彩色图像，判断所述测试晶圆的离子注入情况。本申请提供的一种检测方法通过获取测试晶圆的彩色图像，并基于彩色图像反映出的颜色特征，能够准确地判断出测试晶圆的离子注入情况是否正常，操作简单，提高了检测效率，并且可以做到及时预警，避免由于检测不及时，造成测试晶圆的永久损坏，提高了产品良率。
一种检测方法装置

[发明专利]一种3D NAND存储器件的制造方法-CN202110251919.8在审
发明人：沈保家;吴保润;刘小辉;於成星 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请提供一种3D NAND存储器件的制造方法，在对沟道孔侧壁的氮化硅层进行氧化时，首先在第一温度下进行氧化，得到沟道孔的顶部和底部氧化较为均匀的第一氧化膜，之后再在第二温度下继续进行氧化，由于第一氧化膜对含氧化合物的消耗较少，使得含氧化合物能够较均匀的分布在沟道孔内部，因此氮化硅层在高温下也能继续进行均匀的氧化，得到沟道孔的顶部和底部氧化较为均匀的第二氧化膜。由此可见，本申请实施例的方法能够解决在3D NAND存储器件制造过程中沟道孔的顶部反应过快而底部反应较慢，导致顶部的氧化硅较厚而底部氧化硅较薄的问题，制造得到可靠性高的器件。
一种 nand 存储器件制造方法

[发明专利]存储器制作方法及存储器-CN202010514483.2有效
发明人：李军辉;沈保家;於成星;周静兰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种存储器制作方法及存储器，所述方法包括：在衬底表面形成第一堆叠结构；其中，所述第一堆叠结构包括依次交替层叠设置的第一绝缘层和第一牺牲层；形成贯穿所述第一堆叠结构的至少一个第一通孔；在所述第一通孔侧壁形成第一电荷阻挡结构；在形成所述第一电荷阻挡结构后，在所述第一堆叠结构表面形成第二堆叠结构；其中，所述第二堆叠结构包括依次交替层叠设置的第二绝缘层和第二牺牲层；形成贯穿所述第二堆叠结构的至少一个第二通孔；其中，所述第二通孔与所述第一通孔连通；形成覆盖所述第一通孔侧壁和所述第二通孔侧壁的第二电荷阻挡结构；其中，所述第二电荷阻挡结构覆盖所述第一电荷阻挡结构。
存储器制作方法

[发明专利]在三维存储器件中具有抗蚀刻层的半导体插塞-CN202080000240.5有效
发明人：郭海峰;王孝进;於成星;赖琳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：公开了具有抗蚀刻层的3D存储器件以及用于形成3D存储器件的方法的实施例。在一示例中，存储器件包括衬底、以及设置在衬底上的存储堆叠。存储堆叠包括多个交错的导体层和电介质层。存储器件还包括多个存储串，各存储串垂直地延伸穿过存储堆叠，以及在存储串的底部包括半导体插塞。半导体插塞与衬底相接触并且包括掺杂有抗蚀刻材料的顶部。
三维存储器件具有蚀刻半导体

[发明专利]Cu掺杂的缺位Keggin型硅钨氧酸盐催化剂的制备方法及其应用-CN201510344525.1在审
发明人：薛岗林;於成星;武立州;路哲;董新博;闫永红;张晓芬 -专利权人：西北大学
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： B01J23/888 文献下载
摘要：本发明公开了这一种Cu掺杂的缺位Keggin型硅钨氧酸盐催化剂的制备方法，其将可溶性铜盐与多金属氧酸盐溶于水，调节溶液pH为5-6，将混合溶液蒸干制得催化剂前体，将催化剂前体在N₂气氛下300-400℃煅烧处理即可。本发明方法制备得到的催化剂催化FCC汽油脱硫反应条件温和，在65℃下即可使汽油中剩余硫含量降低到10ppm以下，脱硫率达98%以上，而且催化剂经煅烧后不溶于汽油、乙腈和H₂O₂，便于回收利用，而且回收利用转化率并没有明显下降，节约成本。
cu 掺杂缺位 keggin 型硅钨氧酸盐催化剂制备方法及其应用

[发明专利]一种Cu、Fe掺杂的缺位Keggin型硅钨氧酸盐催化剂的制备方法-CN201410152583.X有效
发明人：薛岗林;於成星;武立州;董新博;闫永红;张晓芬 -专利权人：西北大学
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： B01J31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cu、Fe掺杂的缺位Keggin型硅钨氧酸盐催化剂的制备方法，该方法在Na₁₀[α-SiW₉O₃₄]·18H₂O、K₈[γ-SiW₁₀O₃₆]·10H₂O和K₈[β₂-SiW₁₁O₃₉]·14H₂O多金属氧酸盐前体中添加摩尔比为0.1~0.4的Cu和/或Fe盐，充分混合溶解后蒸干，于300-400℃下煅烧制得催化剂。该催化剂制备方法简单，原料易得，成本低廉，反应条件温和，回收利用率高。该催化剂用于苯甲醇催化氧化制苯甲醛时，用30%H₂O₂做氧化剂，转化率达87.1%~96.9%，产率达85.3%~96.1%。
一种 cu fe 掺杂缺位 keggin 型硅钨氧酸盐催化剂制备方法

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