[实用新型]一种超高温防辐射SIC材料MOSFET原件有效
| 申请号： | 202021102973.3 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN211907427U | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 高嘉鹏 | 申请（专利权）人： | 固安京仪椿树整流器有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京专赢专利代理有限公司 11797 | 代理人： | 于刚 |
| 地址： | 065500 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种超高温防辐射SIC材料MOSFET原件，包括原件主体、连接块和支脚，所述连接块与支脚之间设置有调节结构，所述调节结构包括放置槽、连接杆、移动杆、移动块、弹簧、第一滑槽、转动杆和第二滑槽，所述连接块内部开设有支脚配合的放置槽。该超高温防辐射SIC材料MOSFET原件即可通过连接杆使得支脚可以在连接块上转动，从而使得支脚的角度可以调节安装时再将连接块与支脚焊接即可，解决了现有的MOSFET原件安装时支脚的角度无法调节的问题，避免因多次拨动导致支脚折断，提高了MOSFET原件的实用性，解决了现有的MOSFET原件在安装时焊接处容易相连的问题，提高了MOSFET原件安装时的便捷性，降低了操作人员的工作难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高温 防辐射 sic 材料 mosfet 原件 | ||
【主权项】：
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