[实用新型]基板处理装置以及吐出喷嘴有效
| 申请号： | 202020234803.4 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN211828692U | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 山冈英人;伊吹征也 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金成哲;王莉莉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种基板处理装置以及吐出喷嘴，利用气体吹送及第二处理液供给来将附着于基板的表面的第一处理液除去。在进行清洗时，从覆盖基板的宽度方向上的一端部至另一端部并呈狭缝状地开口的吐出口向基板表面的方向吐出第二处理液，使从吐出口吐出来的第二处理液沿平滑的倾斜面流下，该倾斜面以与吐出口的开口部整体对置的方式设于吐出口的下方并以从搬运方向的上游侧朝向下游侧下降的方式倾斜，从而在倾斜面上形成具有朝向搬运方向的下游侧的方向的成分的薄层状的液流，并从倾斜面的下游侧端部向基板表面流下。倾斜面的下游侧端部与基板表面在搬运方向上的距离比由液流形成于基板表面的液膜的厚度大。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 吐出 喷嘴 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团，未经株式会社斯库林集团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202020234803.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
