[发明专利]一种超薄半导体晶片的无蜡抛光方法在审
| 申请号： | 202011596511.6 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112720226A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 肖进龙;杨士超;周铁军;何剑辉 | 申请（专利权）人： | 广东先导先进材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B24B41/06;B24B55/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超薄半导体晶片的无蜡抛光方法，包括以下步骤：(1)将直径为D的待抛光砷化镓晶片置于吸附垫模具A上进行背面粗抛，所述吸附垫模具A设置有圆孔A，所述圆孔A的深度为150～180μm；(2)置于吸附垫模具B上进行正面粗抛，所述吸附垫模具B设置有圆孔B，所述圆孔B的深度为120～150μm；(3)将步骤(2)处理后的砷化镓晶片置于吸附垫模具C上进行背面精抛，所述吸附垫模具C设置有圆孔C，所述圆孔C的深度为80～120μm；(4)将步骤(3)处理后的砷化镓晶片置于吸附垫模具C上进行正面精抛；(5)冲洗。本发明的超薄半导体晶片的无蜡抛光方法具有更小的破碎率，提高了无蜡抛光双抛超薄砷化镓晶片加工工艺的合格率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 半导体 晶片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
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