[发明专利]磁性存储器及其读写方法在审
| 申请号： | 202011596090.7 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114694704A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 吴保磊;王晓光;吴玉雷 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁性存储器及其读写方法，磁性存储器包括至少一单元层，所述单元层包括：若干条平行的第一导线，位于第一平面内；若干条平行的第二导线，位于第二平面内，且所述第一平面与所述第二平面平行，所述第二导线在所述第一平面上的投影与所述第一导线交叉；若干个存储元件，设置在所述第一平面与所述第二平面之间，所述存储元件包括沿垂直所述第一平面方向串联设置的磁隧道结及双向选通器件，所述磁隧道结与所述第一导线连接，所述双向选通器件与所述第二导线连接，所述双向选通器件被配置为在被施加阈值电压和/或电流时导通。本发明磁性存储器改变了传统的磁性存储器设计，大大提高了磁场存储器的存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储器 及其 读写 方法 | ||
【主权项】：
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