[发明专利]应用于管式PECVD沉积设备的生产工艺有效
申请号: | 202011592646.5 | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN112813413B | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 戴虹;黄志强;王祥;袁刚;汤亮才;彭海 | 申请(专利权)人: | 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/30;C23C16/32;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/50;C23C16/52;C23C16/54;H01L31/18 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 201620 上海市松*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种应用于管式PECVD沉积设备的生产工艺,包括:通过翻转驱动装置驱动管式沉积腔体内的载具进行翻转运动,通过沉积控制装置使基板的两个待镀表面均形成介质膜,以及通过设置于管式清洗腔体的清洗控制装置对进入所述管式清洗腔体的载具进行气相清洗处理。本发明通过所述翻转运动使得所述载具无需多次进出所述管式沉积腔体内部就能够实现双面镀,提高了生产效率;通过设置于所述管式清洗腔体的清洗控制装置对进入所述管式清洗腔体的载具进行所述气相清洗处理,无需拆装所述载具,从而进一步提高了生产效率。 | ||
搜索关键词: | 应用于 pecvd 沉积 设备 生产工艺 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的