[发明专利]一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺有效
| 申请号： | 202011569445.3 | 申请日： | 2020-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN112720082B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王国秋 | 申请（专利权）人： | 湖南启泰传感科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B22D19/00;B08B3/10;G01L9/08 |
| 代理公司： | 长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙) 43207 | 代理人： | 黄宇 |
| 地址： | 410323 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺，涉及半导体和传感器加工技术领域，包括下料、成型、研磨减薄、填充合金液、单面研磨、单面抛光、清洗、测试变形量和粗糙度、二次清洗、微电子电路加工的加工步骤。本发明的目的是提供一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺，设计科学，工艺完善，能够解决低量程芯片基底在研磨抛光过程中，金属基薄膜压敏芯片的敏感膜片容易变形的问题，能够避免敏感膜片在单面研磨和单面研磨的过程中发生变形，从而减少金属基薄膜压敏芯片的敏感膜片粗糙度和变形量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 薄膜 芯片 研磨 抛光 工艺 | ||
【主权项】：
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