[发明专利]一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺

权利要求书

1.一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤A：下料，圆棒下料切断制得毛坯料；

步骤B：成型，毛坯料采用机加工制成芯片基底，芯片基底包括芯片基体（1），芯片基体（1）包括凸台（4）、盲孔（2）和敏感膜片（3），敏感膜片（3）厚度控制为0.9-1.2mm；

步骤C：研磨减薄，采用单面铜盘研磨设备对敏感膜片（3）进行研磨减薄操作，敏感膜片（3）厚度控制为0.3-0.4mm；

步骤D：填充合金液，将合金液填充入芯片基体（1）的盲孔（2）内，然后冷却凝固；

步骤E：单面研磨，将步骤D所制填充有合金液的芯片基体（1）采用树脂铜研磨盘进行单面研磨操作，研磨完成后敏感膜片（3）厚度控制为0.1-0.2mm，制得待加工物料；

步骤F：单面抛光，将步骤E所制待加工物料采用抛光设备进行抛光操作，抛光完成后敏感膜片（3）厚度控制为0.09-0.11mm，制得待加工物料；

步骤G：清洗，将步骤F所制待加工物料放入100℃水中进行清洗操作，清洗时间控制为1.5-3分钟，将芯片基体（1）的盲孔（2）内的合金液融化并沉淀于水中，制得待加工物料；

步骤H：测试变形量和粗糙度，将步骤G所制待加工物料采用小坂ET150微小形状测定机测试中间区域敏感膜片的变形量和粗糙度，评估方法是随机取5个基底样品测试变形量和粗糙度，对比不同条件下变形量和粗糙度的平均值和最大值，值越小表示效果越好；

步骤I：二次清洗，将经过步骤H测试过后的待加工物料依次进行超声清洗、水洗、有机洗、酸洗、碱洗、脱水、烘干工序，制得待加工物料；

步骤J：微电子电路加工，步骤I所制得待加工物料依次进行清洗、镀膜、光刻、刻蚀、去胶、检测工序，制得合格的金属基薄膜压敏芯片。

2.根据权利要求1所述的一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺，其特征在于，所述步骤A中，不锈钢圆棒采用材料为17-4PH、直径为10mm的不锈钢圆棒。

3.根据权利要求1所述的一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺，其特征在于，所述步骤C中，研磨压力控制为6-8 kgf，研磨时间控制为12-14分钟。

4.根据权利要求1所述的一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺，其特征在于，所述步骤D中，合金液是采用锡、铋、铅、铟金属装入电加热坩埚装置内，将电加热坩埚装置加热到390-410℃使金属快速融化混合制得。

5.根据权利要求4所述的一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺，其特征在于，所述合金液成分质量份数控制为：锡8%~13%；铋45%~60%、铅10%~20%、铟15%~30%，合金液的熔点控制为60-70℃。

6.根据权利要求5所述的一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺，其特征在于，所述合金液通过脚踏气压条充装置注入芯片基体（1）的盲孔（2）内，调整好脚踏填充装置的气压，将填充装置的针头对准芯片基体（1）的盲孔（2），脚踩踏板将融化后的合金液注入到芯片基体（1）的盲孔（2）内，冷却时间控制为2-4分钟。

7.根据权利要求1所述的一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺，其特征在于，所述步骤E中，在单面研磨操作中，表面平面度控制为±10um，表面刻槽深度2mm，槽宽3mm，槽间距3mm，采用有机系研磨液进行单面研磨操作，研磨压力控制为3-5 kgf，研磨时间控制为7-9分钟。

8.根据权利要求1所述的一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺，其特征在于，所述步骤F中，抛光垫采用聚氨酯抛光垫，抛光液采用含氧化铝的抛光液，抛光压力设定控制为2-4kgf，抛光时间控制为5-7分钟。