[发明专利]激光退火装置、激光退火处理用连续传送路径以及激光退火处理方法在审
| 申请号： | 202011489205.2 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN112582322A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 谷川贞夫;泽井美喜 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 俞丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种激光退火装置(1)，对被处理体(100)照射激光(42)进行退火处理，包括将被处理体(100)在一定方向上连续传送的连续传送路径(2)、对在连续传送路径(2)传送的被处理体(100)照射激光(42)的激光照射单元，连续传送路径(2)具备在连续传送路径(2)的上游侧搬入被处理体(100)进行传送的搬入传送路径(2a)、在搬入传送路径(2a)的下游侧传送被处理体(100)并向被处理体(100)照射激光(42)进行退火处理的照射区域传送路径(2b)、以及在照射区域传送路径(2b)的下游侧将经过退火处理后的被处理体(100)传送并搬出的搬出传送路径(2c)。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 装置 处理 连续 传送 路径 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
