[发明专利]一种高绝缘电压单芯片电流传感器封装结构在审
| 申请号： | 202011483964.8 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112595874A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 陈忠志;赵翔;彭卓;刘学 | 申请（专利权）人： | 成都芯进电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R15/20 | 分类号： | G01R15/20;G01R19/00 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 李朝虎 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高绝缘电压单芯片电流传感器封装结构，包括U型框架、隔离芯片和用于探测磁信号的传感器芯片；所述隔离芯片的顶面通过DAF薄膜粘贴连接用于探测磁信号的传感器芯片；所述隔离芯片的底面通过DAF薄膜粘贴连接U型框架的最大横截面；利用栅氧化层的高击穿电压特性来实现超薄隔离芯片，实现高击穿电压的同时，压缩霍尔传感器芯片与导线之间的距离，降低霍尔传感器的灵敏度需求，提升线性度，温度特性和抗干扰特性；可以满足6000V RMS隔离电压的电流传感器封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 电压 芯片 电流传感器 封装 结构 | ||
【主权项】：
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