[发明专利]DMOS器件的层间介质层及其制作方法在审
| 申请号： | 202011463387.6 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112635329A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 付超群;许隽;金立培 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种DMOS器件的层间介质层及其制作方法。DMOS器件层间介质层的制作方法包括：提供半导体DMOS器件；在所述DMOS器件上淀积富硅氧化物薄膜层；在所述富硅氧化物薄膜层上淀积二氧化硅薄膜层。通过该DMOS器件层间介质层的制作方法制作出本申请另一方面涉及的DMOS器件的层间介质层。本申请提供的DMOS器件对层间介质层护层作用的要求。能够满足DMOS器件对层间介质层护层作用的要求。 | ||
| 搜索关键词： | dmos 器件 介质 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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