[发明专利]低温电子束激发等离子体注入碳纳米团簇制备低摩擦高耐磨硅橡胶表面的方法有效
申请号: | 202011356156.5 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN112376031B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 张俊彦;贾倩;张斌;杨生荣;强力 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
主分类号: | C23C14/48 | 分类号: | C23C14/48;C08J7/12;C08L83/04 |
代理公司: | 兰州智和专利代理事务所(普通合伙) 62201 | 代理人: | 张英荷 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种低摩擦高耐磨硅橡胶表面低温电子束激发等离子体注入碳纳米团簇的方法,是以乙炔烃类气体乙炔或甲烷作为碳源,氩气作为稀释气体,采用高温热丝电子源提供气体所需的离化能量,通过电子束注入离化乙炔或甲烷;离子注入过程将碳离子注入硅橡胶的亚表层,形成碳纳米团簇。摩擦性能测试结果表明,改性后硅橡胶表面的摩擦系数从0.7降低至0.25~0.43左右;摩擦结束后,硅橡胶表面几乎看不到磨损痕迹,说明具有低摩擦、高耐磨性能,机械部件的密封需求提供保障。 | ||
搜索关键词: | 低温 电子束 激发 等离子体 注入 纳米 制备 摩擦 耐磨 硅橡胶 表面 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院兰州化学物理研究所,未经中国科学院兰州化学物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011356156.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类