[发明专利]光致抗蚀剂下层和形成光致抗蚀剂图案的方法在审
| 申请号： | 202011301426.2 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN113176708A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 訾安仁;林进祥;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/09 | 分类号： | G03F7/09;G03F7/16;G03F7/38;G03F7/004 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 赵艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请涉及光致抗蚀剂下层和形成光致抗蚀剂图案的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在半导体基板上方形成包含光致抗蚀剂下层组合物的光致抗蚀剂下层；以及在所述光致抗蚀剂下层上方形成包含光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层。使所述光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射，并且使所述光致抗蚀剂层显影以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。所述光致抗蚀剂下层组合物包含具有酸不稳定侧基的聚合物、具有交联基团的聚合物或具有羧酸侧基的聚合物、产酸剂和溶剂。所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物、光活性化合物和溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂 下层 形成 图案 方法 | ||
【主权项】：
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