[发明专利]一种硅格位掺杂竞争发光中心的稀土正硅酸盐闪烁材料及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202011279329.8 申请日: 2020-11-16
公开(公告)号: CN112522787A 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 丁栋舟;赵书文;万博;施俊杰;陈露;袁晨;王林伟 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地
主分类号: C30B29/34 分类号: C30B29/34;C30B28/02;C30B11/00;C30B15/00;C30B17/00;C30B9/12;G01T1/202;C04B35/16;C04B35/622
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;郑优丽
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种硅格位掺杂竞争发光中心的稀土正硅酸盐闪烁材料及其制备方法和应用,所述硅格位掺杂竞争发光中心的稀土正硅酸盐闪烁材料的化学式为RE2(1‑x)Ce2xSi1‑yMyO5;其中RE为稀土离子;M为占据硅格位的第二发光中心,选自钛Ti、铬Cr、锰Mn、钴Co中至少一种;0<x≤0.05,0<y≤0.1。
搜索关键词: 一种 硅格位 掺杂 竞争 发光 中心 稀土 硅酸盐 闪烁 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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