[发明专利]改善光刻图形垂直度的方法在审

专利信息
申请号: 202011264147.3 申请日: 2020-11-12
公开(公告)号: CN112255883A 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 李伟峰 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G03F1/70 分类号: G03F1/70;G03F7/20
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种改善光刻图形垂直度的方法,包括提供掩模版的设计版图,所述设计版图包括第一图形和第二图形,其中,所述第二图形的特征尺寸小于光刻机的分辨率,所述第一图形和所述第二图形之间的距离介于所述光刻机的曝光光线波长λ的二分之一到三分之二之间;根据所述设计版图制作一掩模版,利用所述掩模版对晶圆进行光刻,以改善所述晶圆上形成的光刻图形的垂直度。本发明提供的所述改善光刻图形垂直度的方法通过调整掩模版的设计版图,利用光学临近效应来改善光刻图形的垂直度,防止所述光刻图形的边缘出现白边过大的问题,在保证光刻图形的质量的同时确保光刻工艺的效率。
搜索关键词: 改善 光刻 图形 垂直 方法
【主权项】:
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