[发明专利]一种通过STI刻蚀工艺改善HDP填充缺陷的方法在审

专利信息
申请号: 202011252721.3 申请日: 2020-11-11
公开(公告)号: CN114497089A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 魏峥颖;范学东;吴智勇 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/762
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种通过STI刻蚀工艺改善HDP填充缺陷的方法,提供均匀分布有像素区和逻辑区的晶圆,将晶圆的表面划分为第一至第四象限;将晶圆的第二象限正对所述刻蚀机台的悬臂梁置于刻蚀腔;对晶圆进行刻蚀,在第一至第四象限的像素区和逻辑区形成相同深度的STI区;将晶圆移出刻蚀机台,并对像素区的STI区覆盖光刻胶;将晶圆重新置于刻蚀腔的静电吸盘上,将晶圆除第二象限以外的其他任意一个象限正对悬臂梁;对晶圆第一至第四象限的逻辑区的STI区继续刻蚀,形成深STI区。本发明将利用STI刻蚀与深STI刻蚀时的角度匹配或者STI及深STI刻蚀时旋转角度来改善面内深度均匀性,从而避免HDP填充出现空洞。
搜索关键词: 一种 通过 sti 刻蚀 工艺 改善 hdp 填充 缺陷 方法
【主权项】:
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