[发明专利]半导体测试结构及其形成方法、半导体器件的测试方法有效
| 申请号： | 202011243675.0 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112103203B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 田文星;目晶晶 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体测试结构及其形成方法、半导体器件的测试方法，所述半导体测试结构包括：至少一个半导体器件、至少两个测试端、至少四个单向导通结构；其中，半导体器件形成在衬底；一个半导体器件连接有两个测试端；一个测试端和一个半导体器件之间并联连接有两个单向导通结构，所述两个单向导通结构的导通方向相反。采用本发明提供的半导体测试结构对半导体器件进行测试时，可以定位出异常位置，从而能够仅对异常位置进行失效分析，避免了由于盲目全面的失效分析，而浪费失效分析的机台资源以及人力资源的情况发生，提高了效率，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 及其 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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