[发明专利]用于铜钼膜层的蚀刻剂与铜钼膜层的蚀刻方法在审
| 申请号： | 202011237543.7 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112522705A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 张月红;何毅烽 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于铜钼膜层的蚀刻剂与铜钼膜层的蚀刻方法，所述蚀刻剂包括蚀刻主剂，所述蚀刻主剂包括过氧化氢、螯合剂、第一无机酸以及水，所述螯合剂在所述蚀刻主剂中的质量百分含量为2％‑10％，所述第一无机酸在所述蚀刻主剂中的质量百分含量为1％‑10％，所述过氧化氢在所述蚀刻主剂中的质量百分含量为4％‑10％，通过调整螯合剂与无机酸的比例，可获得较小的蚀刻锥形角，以满足显示面板更高对比度的需求，同时，不会出现易导致显示面板不良的膜层底切或钼残等现象。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 铜钼膜层 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
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