[发明专利]一种多波长的半导体激光器结构及制备方法有效
| 申请号： | 202011184341.0 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112310808B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 顾增辉;张锦川;刘峰奇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/065;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多波长的半导体激光器结构及制备方法，包括：衬底、传输层、电极，其中传输层蚀刻有环形谐振腔、法布里‑珀罗谐振腔和多模干涉区，环形谐振腔和法布里‑珀罗谐振腔相邻，并在相邻位置通过多模干涉区连接；环形跑道腔用于形成第一纵模间距的光，法布里‑珀罗直波导腔用于形成第二纵模间距的光，多模干涉区用于对第一纵模间距的光及第二纵模间距的光进行耦合，形成特定纵模间距的多波长光，并通过法布里‑珀罗谐振腔的端面输出。本发明提供的半导体激光器结构出射的多波长间强度稳定，且具有比较好的光束质量，适合应用于多种大分子物质检测、差频太赫兹产生等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波长 半导体激光器 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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