[发明专利]掺杂二维半导体纳米材料在表面拉曼散射增强中的应用在审
| 申请号： | 202011181243.1 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112326624A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 刘玫;田元 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王志坤 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及拉曼光谱分子检测材料技术领域，具体涉及一种掺杂二维半导体纳米材料作为表面拉曼散射增强活性基底的应用。针对现有技术中半导体材料基底表面增强拉曼散射灵敏度相对较低的问题，本发明提供了一种掺杂二维半导体纳米材料作为表面拉曼散射增强活性基底的应用，通过气相沉积方法在云母基底上直接生成掺硫二维层状结构硒化锡纳米片。该纳米片应用于表面增强拉曼光谱中具有很好的信号增强效果，检测灵敏度高并且制备方法简单可控，检测范围大、并且不与探针分子发生反应。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 二维 半导体 纳米 材料 表面 散射 增强 中的 应用 | ||
【主权项】：
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