[发明专利]柔性InGaZnO薄膜晶体管制备方法在审
| 申请号： | 202011176695.0 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112420847A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 宋家琪;郑克丽 | 申请（专利权）人： | 深圳技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 黄广龙 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种柔性InGaZnO薄膜晶体管制备方法。包括：提供柔性PI衬底，在所述柔性PI衬底上依次形成缓冲层、ITO栅极、高K介质层，对所述高K介质层进行准分子激光退火，在所述高K介质层上形成InGaZnO有源层，通过光刻和显影工艺，在所述InGaZnO有源层上形成源极和漏极的光刻胶图形，对所述InGaZnO有源层进行准分子激光退火，在所述InGaZnO有源层上形成金属薄膜，通过光刻胶的剥离工艺形成源极和漏极。通过使用准分子激光退火，可实现纳米尺度下的局域性退火，对特定的薄膜区域实现温度提升，有效避免了全结构的热效应，降低柔性衬底材料玻璃化温度的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 ingazno 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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