[发明专利]晶片和用于分析晶片形状的方法在审
| 申请号： | 202011157732.3 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN113948410A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李忠炫 | 申请（专利权）人： | 爱思开矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L29/06;G01B11/06;G01B11/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 蔡文清;胡嘉倩 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种分析晶片形状的方法。所述方法包括：测量多个晶片的外部形状，由在测量晶片外部形状中获得的测量值来检测在各晶片边缘区域中具有最大曲率的第一点，检测在向着晶片中对应的一个晶片的顶部方向上与第一点间隔开的第二点，测量在构造为连接第一点和第二点的第一线与所述晶片中对应的一个晶片的正面之间所形成的第一角，在各晶片表面形成薄膜层，测量薄膜层的厚度分布，以及确认晶片中薄膜层厚度分布的最大值为最小的晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 用于 分析 形状 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
