[发明专利]一种优化光刻聚焦的方法在审
| 申请号： | 202011154100.1 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112230515A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 官锡俊 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种优化光刻聚焦的方法，包括：对衬底不平坦的晶圆涂布光刻胶，通过曝光机表面水平传感系统量测一个曝光面内不同区域高度分布度；对该晶圆使用标准掩模版进行聚焦‑能量矩阵曝光并显影，通过扫描电子显微镜量测不同区域的线宽，计算出不同区域最佳聚焦值；通过光学仿真模拟，计算出在该光刻条件下掩模版铬厚度变化相对应的聚焦深度变化；根据曝光面内不同区域的最佳聚焦值，在掩模版制作过程中调整不同区域的铬厚度；用不同铬厚度的掩模版对步骤一中晶圆曝光，可使曝光面内不同区域的图形都可获得最佳聚焦。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 光刻 聚焦 方法 | ||
【主权项】：
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