[发明专利]单模大功率半导体激光器在审
申请号: | 202011152194.9 | 申请日: | 2020-10-23 |
公开(公告)号: | CN112260058A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 刘安金;张靖 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S5/10 | 分类号: | H01S5/10;H01S5/065;H01S5/026 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种半导体激光器,包括:依次连接的第一单模波导(1)、第一锥形波导(2)、多模干涉波导(3)、第二锥形波导(4)、第二单模波导(5)、第三锥形波导(6)以及第一多模干涉反射镜(7);其中,第一单模波导(1)的端面(10)与第一多模干涉反射镜(7)可形成激光腔,并作为激光腔的反射镜;其中,第一多模干涉反射镜(7)通过刻蚀工艺形成。半导体激光器还包括:光栅(8),其设于第一单模波导(1)上,光栅(8)与第一多模干涉反射镜(7)可形成激光腔,并作为激光腔的反射镜,半导体激光器通过端面(10)输出激光。该半导体激光器可以与一个或多个光子集成芯片单片集成。 | ||
搜索关键词: | 单模 大功率 半导体激光器 | ||
【主权项】:
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