[发明专利]替代金属栅极集成在审
| 申请号： | 202011133699.0 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112701042A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | E·登托尼利塔;曾文德;S·德牧科 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 蔡文清;王颖 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于形成半导体器件的方法(100)，所述方法包括：提供(110)具有至少一个鳍(1)或纳米线的基材；形成伪栅极(3、4)；在至少一个鳍(1)或纳米线和伪栅极(3、4)上提供(120)间隔物(5)；实施(130)第一RMG模块，其中，高k材料(7)设置在间隔物(5)之间的至少一个鳍(1)或纳米线上；一个或多个退火步骤；在间隔物(5)之间提供(132)牺牲塞(9)；在至少一个鳍(1)或纳米线中外延生长(140)源极(11、13)和漏极(11、13)；去除(134)牺牲塞(9)；实施(136)第二RMG模块，其中，使WFM(14)沉积在至少部分间隔物之间，以使得WFM覆盖至少一个鳍或纳米线的高k材料。 | ||
| 搜索关键词： | 替代 金属 栅极 集成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
