[发明专利]一种顶发射硅基OLED器件结构以及显示方法在审
| 申请号： | 202011122338.6 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN112242429A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 刘胜芳;吕磊;李维维;李雪原;赵铮涛;许嵩 | 申请（专利权）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京恒泰铭睿知识产权代理有限公司 11642 | 代理人： | 王肖林 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市长江大桥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种顶发射硅基OLED器件结构和显示方法，其中，所述器件结构包括：从下至上依次叠加的基板、金属阳极、有机功能层、金属阴极和封装层；其中，所述有机功能层包括：发光层，以向所述金属阴极方向发射白光；所述发光层包括：红色发光单元、蓝色发光单元和绿色发光单元，该三种发光单元对应的微腔阶数各不相同。该器件结构克服现有技术中单一光学厚度的顶发射结构的OLED显示器容易出现颜色漂移现象的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 oled 器件 结构 以及 显示 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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