[发明专利]一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路在审

专利信息
申请号: 202011102468.3 申请日: 2020-10-15
公开(公告)号: CN112421940A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 邵天骢;李志君;郑琼林;黄波;王俊兴 申请(专利权)人: 北京交通大学;泰科天润半导体科技(北京)有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32;H02M1/08
代理公司: 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 代理人: 王牌
地址: 100000 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路,用于SiC、GaN等宽禁带半导体器件在桥臂电路中的高速驱动。基于负反馈控制原理,在不牺牲开关速度的前提下,自动抑制栅源电压干扰,实现高速开关下的栅压稳定。所述电路包括:驱动推挽电路、驱动电阻、辅助电容和辅助MOSFET。其中驱动推挽电路为普通的MOSFET驱动芯片,驱动电阻为电阻R,辅助电容为电容C,辅助MOSFET为P沟道MOSFET Qp。该MOSFET栅极负反馈有源驱动电路结构简单,易于实现,可在不牺牲SiC、GaN等宽禁带半导体器件开关速度的前提下,自动抑制栅源电压干扰,实现高速开关下的栅压稳定。
搜索关键词: 一种 mosfet 栅极 负反馈 有源 驱动 电路
【主权项】:
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