[发明专利]钽钛复合氧化物柔性底栅电荷俘获型存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011089583.1 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN112382668A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 秦国轩;杨晓东;刘汪钰;闫宏光;周亮宇;黄逸蒙 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/24;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明属于柔性器件领域，为设计并制备一种基于钽钛复合氧化物介质层的柔性底栅结构电荷俘获型存储器，极大丰富晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供可能，本发明，钽钛复合氧化物柔性底栅电荷俘获型存储器及其制备方法，在PET柔性衬底上依次制备了氧化铟锡底栅电极、Al |
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| 搜索关键词： | 复合 氧化物 柔性 电荷 俘获 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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