[发明专利]存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 202011069835.4 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112185963B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 陈敏腾;钟定邦 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种存储器及其形成方法，下电极包括第一部分及第二部分，第一部分从基底向上延伸至所述一设定高度区域，第二部分从所述设定高度区域向上延伸，而金属氧化物层包括第一膜层及第二膜层，所述第一膜层覆盖第一部分的表面及基底的表面，第二膜层覆盖第二部分的表面以及第一膜层的表面，第一膜层可以弥补下电极的下半部分，提高金属氧化物层的厚度均匀性，改善了存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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