[发明专利]一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器及孔的设计方法在审
| 申请号： | 202011056642.5 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN111979576A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 黎志欣;逯占文;李军;孔德东;曹玉宝 | 申请（专利权）人： | 连城凯克斯科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B15/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 李洪福 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器及孔的设计方法，包括设置在总熔体空间内的器壁，所述器壁所围成的空间形成晶体生长区，所述晶体生长区与所述总熔体空间同轴，所述器壁上加工有至少一个通孔，所述通孔用于所述总熔体空间内的熔体进入所述晶体生长区内，所述通孔位于所述晶体生长区内的熔体液面以下，所述通孔的横截面积0.1mm |
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| 搜索关键词： | 一种 用于 连续 单晶硅 生长 带有 容器 设计 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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