[发明专利]一种8管双分裂控制存储单元、存储阵列及存内计算装置有效
| 申请号： | 202011054193.0 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112185447B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 乔树山;史万武;尚德龙;周玉梅 | 申请（专利权）人： | 中科南京智能技术研究院 |
| 主分类号： | G11C11/414 | 分类号： | G11C11/414;G11C11/416;G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 崔玥 |
| 地址： | 211100 江苏省南京市江宁*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种8管双分裂控制存储单元、存储阵列及存内计算装置，包括PMOS管T1、PMOS管T2、NMOS管T3、NMOS管T4、NMOS管T5、NMOS管T6、NMOS管T7、NMOS管T8、位线BL、位线BLB、读字线RWL、读位线RBL、字线WL1、字线WL2、公共接地线VSS1和公共接地线VSS2，采用两个T7管、T8管的NMOS串联实现权重和输入乘积的计算方式，将模拟计算结果在读位线上进行模拟累计，最后将模拟电压通过ADC数字化输出，简化了计算方式，节省了计算面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分裂 控制 存储 单元 阵列 计算 装置 | ||
【主权项】：
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