[发明专利]多波导交叉器件、波导芯片及其形成方法有效

专利信息
申请号: 202011021938.3 申请日: 2020-09-25
公开(公告)号: CN112180507B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 于济瑶;曹国威;冯俊波 申请(专利权)人: 联合微电子中心有限责任公司
主分类号: G02B6/125 分类号: G02B6/125;G02B6/12;G02B6/136
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 武振华;张振军
地址: 401332 重庆*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 一种多波导交叉器件、波导芯片及其形成方法,所述多波导交叉器件包括:多组反射结构对,所述多组反射结构对与多根波导一一对应,每根波导被对应的反射结构对间隔为两部分且所述两部分之间具有间隔区域,任意两根波导传输的光波相交于所述两根波导共同的间隔区域内;其中,每组反射结构对包含第一反射结构以及第二反射结构,每组反射结构对中的第一反射结构用于从对应波导的第一部分接收光波,并将所述光波的至少一部分反射至第二反射结构,所述第二反射结构将接收到的光波全部或部分反射至所述对应波导的第二部分。本发明可以实现波导交叉功能,且有机会得到极低的波导交叉串扰,降低工艺复杂度。
搜索关键词: 波导 交叉 器件 芯片 及其 形成 方法
【主权项】:
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