[发明专利]肖特基二极管在审
| 申请号： | 202011017839.8 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112635319A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 马诺耶·梅赫罗特拉 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请案的实施例涉及肖特基二极管。一种方法包含在半导体衬底(110)中形成第一沟槽和第二沟槽(112、122)。所述方法另外包含用多晶硅(116、126)填充所述第一沟槽和所述第二沟槽。所述多晶硅(116、126)与所述半导体衬底(110)相反地经掺杂。肖特基触点(142)形成于所述半导体衬底(110)上所述第一沟槽和所述第二沟槽(112、122)之间。所述方法还包含形成用于所述肖特基触点(142)的阳极电极(150)。所述阳极电极(150)耦合到所述第一沟槽和所述第二沟槽(112、122)中的多晶硅(116、126)。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
