[发明专利]一种NADA阶梯结构的形成方法在审
申请号: | 202011014994.4 | 申请日: | 2020-09-24 |
公开(公告)号: | CN112201662A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 雷海波;田明;宋洋;廖端泉 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157;H01L27/11582 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种NADA阶梯结构的形成方法,提供由两层材料交替堆叠构成的堆叠结构,形成光刻胶将堆叠结构的一端露出;将堆叠结构分为n等分,每一等分包含m个叠层;刻蚀至留下m个叠层不被刻蚀,形成第一大台阶;将第一大台阶刻蚀至留下第一大台阶底部的m个叠层不刻蚀,形成第二大台阶;重复至形成第n台阶为止;沉积第一、第二硬掩膜层;刻蚀去除水平部分的硬掩膜层形成侧墙;在水平部分上形成光刻胶图形,刻蚀至去除一个叠层的深度为止;光刻胶图形修边并刻蚀至去除一个叠层的深度为止;重复至将第一至第n台阶分别形成m个单台阶为止。本发明一道光刻条件下可形成更多台阶结构,有利于减少3D NAND工艺制造中的光刻工艺步骤数量,降低工艺成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 nada 阶梯 结构 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的