[发明专利]磁性存储器结构、读写方法及电子设备在审
| 申请号： | 202011001144.0 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112201747A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 李四华 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁性存储器结构、读写方法及电子设备，属于存储器设计及制造领域，磁性存储器结构包括：自旋轨道转矩层，自旋轨道转矩层的两端分别连接写选择线及地线；第一自由磁层，位于自旋轨道转矩层上；隧穿层，位于第一自由磁层上；第二自由磁层，位于隧穿层上，第二自由磁层连接读选择线，第二自由磁层的面积小于第一自由磁层的面积。本发明的磁性存储器结构具有快速、节能的特点，同时可实现多层单元(MLC)及多位存储，具有高密度和低成本的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储器 结构 读写 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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