[发明专利]NOR闪存电路及数据写入方法有效
| 申请号： | 202010986623.6 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112201291B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 聂虹;赵岳 | 申请（专利权）人： | 中天弘宇集成电路有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/14;G11C16/24;G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 施婷婷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上海）自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种NOR闪存电路及数据写入、读取、擦除方法，包括：NOR存储阵列，源端电压选择单元，阱电压选择单元，字线选通单元，位线选通单元，数据读出单元及模拟电压产生单元。数据写入时将源极浮空，阱电极接地；待写入数据的存储单元所在位线施加第一正向电压、字线施加第二正向电压。数据读取时将源极接地，阱电极接地；待读取数据的存储单元的字线施加第三正向电压、位线选通并输出数据。数据擦除时源极及阱电极接第五正向电压；待擦除数据的存储单元所在位线浮空、字线施加负向电压。本发明通过操作步骤的改进优化，可降低存储单元的有效沟道长度，进而缩减存储器面积，同时提高效率、降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | nor 闪存 电路 数据 写入 方法 | ||
【主权项】：
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