[发明专利]记忆体写入方法有效
| 申请号： | 202010969674.8 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN112102858B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 简汎宇;吴瑞仁;郑君华;徐成宇 | 申请（专利权）人： | 北京时代全芯存储技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100094 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种记忆体写入方法，用以产生多个写入位信号，所述多个写入位信号用以写入在多条位线上的多个记忆体单元，其特征在于，记忆体写入方法包含：判断记忆体单元需被写入为写入设定状态或写入重设状态；当记忆体单元需被写入为写入设定状态时，输出电压模式控制信号以及电流模式控制信号至多个写入驱动器，使写入驱动器依据该电压模式控制信号以及电流模式控制信号产生写入位信号；以及当记忆体单元需被写入为写入重设状态时，输出电压模式控制信号，使写入驱动器依据电压模式控制信号产生写入位信号。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆体 写入 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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