[发明专利]半导体晶体制造装置在审
| 申请号： | 202010933862.5 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112538655A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 小川福生;鸣嶋康人;酒谷和幸;川上泰史;鸭川诚;四井拓也 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张泽洲;陈浩然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本申请的半导体晶体制造装置具备将被向制造半导体晶体的腔内导入的气体排出的第1~第4排气口、各一端分别与对应的各第1~第4排气口连接的个别排气管(31A~31D)、与个别排气管(31A~31D)的各另一端连接的结合管(32)。从各第1~第4排气口经由对应的各个别排气管(31A~31D)至结合管(32)的第2结合部(C |
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| 搜索关键词： | 半导体 晶体 制造 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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