[发明专利]一种LED外延片及制作方法在审
| 申请号： | 202010795880.1 | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN112071963A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 解向荣;吴永胜 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/22;H01L33/32 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 黄以琳;张忠波 |
| 地址： | 350108 福建省福州市闽侯县南屿镇生*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种LED外延片及制作方法，其中方法包括如下步骤，S101、在衬底上溅射ALN薄膜；S102、在所述ALN薄膜上生长第一U型铝镓氮层；S103、对第一U型铝镓氮层进行图形化处理，形成上表面有纳米级凹凸图案的图形化的第一U型铝镓氮层；S104、在第一U型铝镓氮层上生长第二U型铝镓氮层；S105、在第二U型铝镓氮层上依次生长N型铝镓氮层、应力释放GaN层，InGaN/GaN有源区、P型GaN层、重掺杂P型GaN接触层。通过将U型GaN进行图形化处理后，再次进行外延侧向生长，在侧向生长过程中部分位错逐渐合并，同时在侧向生长的过程中，部分蓝宝石和ALN层产生的位错发生弯曲，相互湮灭，有效降低了U型GaN薄膜的位错密度，从而最终获得了表面平整，位错密度低的高品质LED外延片，可有效提升MicroLED的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 制作方法 | ||
【主权项】：
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