[发明专利]同时具有SBD和DUV LED的集成光电子芯片结构及其制备方法有效
申请号: | 202010750824.6 | 申请日: | 2020-07-28 |
公开(公告)号: | CN111863861B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 张紫辉;张丹扬;张勇辉 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L29/872;H01L33/00;H01L21/329 |
代理公司: | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人: | 赵凤英 |
地址: | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明为一种同时具有SBD和DUV LED结构的集成光电子芯片结构及其制备方法。该结构包括排列为一行的n个SBD器件,以及位于其下的n列*m行的DUV LED;所述的SBD和DUV LED呈阵列排布;n个SBD器件为串联,右端的欧姆接触电极和上面的条形芯片电极相连;左端的肖特基接触电极和下一行正下方的DUV LED的n型欧姆电极相连,DUV LED的p型欧姆电极和相邻的DUV LED的n型欧姆电极相连;n列*m行的DUV LED呈蛇形排列串联。本发明可以利用SBD结构的单向导通性将市路电压220V的交流电(AC)变为脉冲直流电(DC),从而可以实现市路电压对该器件的直接供电,脉冲直流电可以减少DUV LED发热,延长使用寿命,此外制作工艺简单,易于操作,可重复性强,生产成本低。 | ||
搜索关键词: | 同时 具有 sbd duv led 集成 光电子 芯片 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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