[发明专利]外延结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010718509.5 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111933763B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 范伟宏;李东昇;邬元杰;蒋敏;张成军 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/24;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李向英 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种外延结构及其制造方法，该外延结构包括位于衬底上方的GaN电子供应层；多量子阱层，位于GaN电子供应层上方，包括交替堆叠的多个垒层与多个阱层；以及GaN空穴供应层，位于多量子阱层上方，其中，多量子阱层中的每个垒层的厚度不大于60埃米。该外延结构通过将多量子阱中的垒层厚度控制在60埃米以下，形成超薄垒结构，从而减少了阱垒的晶格失配应力，降低了多量子阱的量子限制斯塔克效应，进而提升了多量子阱的电子空穴复合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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