[发明专利]外延结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010717160.3 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111933762B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 范伟宏;邬元杰;李东昇;蒋敏;张成军 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/24;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李向英 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种外延结构及其制造方法，衬底；电子供应层，位于衬底上；多量子阱层，位于电子供应层上；多个V型凹陷，自多量子阱层的表面延伸至多量子阱层中；以及空穴供应层，填充多个V型凹陷，并在多量子阱层上方提供平整表面，其中，至少一个V型凹陷的开口尺寸大于等于空穴供应层的厚度的四分之三。该外延结构通过超薄的空穴供应层填充大开口尺寸的V型凹陷，并在多量子阱层上方提供平整表面，从而在保证高空穴注入效率的前提下降低空穴供应层对光的吸收，从而提高了发光元件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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