[发明专利]一种高频高耦合系数压电薄膜体声波谐振器有效
| 申请号： | 202010632731.3 | 申请日： | 2020-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN111697943B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 鲍景富;吴兆辉;梁起;李亚伟 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于射频微机电系统技术领域，具体提供一种高频高耦合系数的压电薄膜体声波谐振器，用以克服现有谐振器单元的耦合系数小的缺点；具体包括：硅基衬底，以及硅基衬底上依次层叠设置的底层质量加载薄膜、压电薄膜及叉指换能器，叉指换能器的相邻电极指条之间均设置有顶层栅条状质量块，顶层栅条状质量块的长边与电极指条平行、短边与电极指条的悬空端平齐。本发明通过质量加载结构有效提高谐振器的耦合系数和Q值，减少杂散损耗，使之适用于做成宽带滤波器；同时，由于采用加载质量块结构，提升了谐振体的散热性能；另外，顶层质量块的长度能够匹配电极指条采用长度渐变以及类似伪电极的结构，进而有效抑制谐振器的横向模态。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 耦合 系数 压电 薄膜 声波 谐振器 | ||
【主权项】：
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