[发明专利]一种制备高质量硅基氮化铝模板的方法有效
| 申请号： | 202010583920.6 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111809154B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 吴亮;付丹扬;王琦琨;朱如忠;龚建超;刘欢 | 申请（专利权）人： | 奥趋光电技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/02;C23C14/58 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 311100 浙江省杭州市余杭区余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备高质量硅基氮化铝模板的方法，要解决的是硅基缓冲层的表面质量与结晶质量较差影响外延氮化铝层质量的问题。本发明制备高质量硅基氮化铝模板具体步骤为：1)准备硅单晶衬底；2)基于所述硅单晶衬底生长初始缓冲层；3)通过离子轰击降低所述初始缓冲层的表面粗糙度；4)对离子轰击后的缓冲层进行热处理；5)基于热处理后的缓冲层生长氮化铝薄膜。本发明基于上述流程进行了大量试验，检测结果表明氮化铝层的结晶质量、粗糙度等性能得到了大幅提升，模板质量均匀性高，可用于大批量高品质硅基氮化铝模板的制备与下游器件应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 质量 氮化 模板 方法 | ||
【主权项】：
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