[发明专利]光刻胶的去胶方法有效
| 申请号： | 202010579225.2 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111722479B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 连庆庆;蒋中伟;王京 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 施敬勃 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种光刻胶的去胶方法，包括：传输步骤，将完成刻蚀工艺后的晶圆传入去胶腔室；准备步骤，向去胶腔室通入辅助气体，同时对去胶腔室进行抽气使去胶腔室处于第一预设压力，流经去胶腔室的辅助气体携带附着在光刻胶上的刻蚀副产物排出去胶腔室；去胶步骤，向去胶腔室通入工艺气体，激发工艺气体形成等离子体，以刻蚀光刻胶；循环执行准备步骤和去胶步骤。应用本申请，可以通过在去胶腔室内流动的辅助气体携带不挥发性刻蚀副产物一同排出去胶腔室，以实现去除晶圆表面的不挥发性刻蚀副产物的目的，从而更有利于残留光刻胶的去除。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
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