[发明专利]一种光刻机工艺稳定性检测方法及装置有效
申请号: | 202010435140.7 | 申请日: | 2020-05-21 |
公开(公告)号: | CN111430261B | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 张利斌;韦亚一;马乐;高澎铮;刘伟晨;张双 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 柳虹 |
地址: | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请实施例提供了一种光刻机工艺稳定性检测方法及装置,可以利用测试掩模进行第一光刻得到待测结构,对待测结构进行扫描得到测试图像,利用测试图像和第一光刻的光刻参数建立图像与光刻参数的关联关系,这样,在实际工艺中,可以利用实际掩模进行第二光刻得到实际结构,而后对实际结构进行扫描得到实际图像,基于前述建立的图像与光刻参数的关联关系,可以确定实际图像对应的预测光刻参数,这里的预测光刻参数是计算得到的理论上能够得到实际图像所利用的光刻参数,基于预测光刻参数与第二光刻的光刻参数可以确定工艺偏差值,作为工艺检测结果,在提高预测准确性的同时,还减少了实际工艺中的计算量,能够高效的实现工艺的准确检测。 | ||
搜索关键词: | 一种 光刻 机工 稳定性 检测 方法 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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