[发明专利]一种应用在半导体阀门的超纯净双重冶炼配方在审
| 申请号： | 202010422609.3 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111378903A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 王汉清 | 申请（专利权）人： | 江苏阀邦半导体材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C22C38/02 | 分类号： | C22C38/02;C22C38/42;C22C38/44;C22C38/46;C22C38/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226006 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用在半导体阀门的超纯净双重冶炼配方，按质量比包括以下元素配方：C 0.01‑0.02；Si 0.2‑0.22；Mn 1.7‑1.9；P 0.018‑0.020；S 0.003‑0.005；N 0.07‑0.09；Ni 14.4‑14.6；Cr 18.0‑19.0；Mo 2.0‑2.2；Cu 0.08‑0.09；V 0.05‑0.07。本发明的超纯净双重冶炼配方，采用合理的数据范围，这样的洁净钢的基材，方便做电子级电解抛光(EP)处理，EP处理后有较佳的镍铬合金沉积，形成镍铬合金层，提高耐酸碱腐蚀能力，并在流道表面呈现较佳的抛光度，以便使粉尘堆积量降到最低，达到奈米级无尘环境使用标准。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用 半导体 阀门 纯净 双重 冶炼 配方 | ||
【主权项】：
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