[发明专利]一种激光裂解聚碳硅烷先驱体制备SiC/Al2 在审
申请号: | 202010400617.8 | 申请日: | 2020-05-13 |
公开(公告)号: | CN111676469A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 李恩重;郭伟玲;刘军;于鹤龙;王红美;尹艳丽;周新远;宋占永;刘晓亭 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军陆军装甲兵学院 |
主分类号: | C23C18/14 | 分类号: | C23C18/14 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100072*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
本发明涉及一种激光裂解聚碳硅烷先驱体制备SiC/Al |
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搜索关键词: | 一种 激光 裂解 硅烷 先驱 体制 sic al base sub | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理